[20a-E203-1~12] 7.5 イオンビーム一般

△ [20a-E203-3] CVDグラフェン上のRFスパッタc軸配向ScAlN薄膜の圧電特性

〇(M1)天野 凌輔^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JSTさきがけ)

キーワード：圧電薄膜、グラフェン、スパッタリング

移動体通信機器での利用周波数の密集化，高帯域化に伴い，急峻性の高い周波数フィルタの重要性が増している．現在のFBARフィルタには多結晶薄膜が用いられているが，単結晶薄膜を使用することで機械的Q値の向上が期待される．本研究では，単結晶FBAR フィルタの作製方法を検討した．グラフェン上にScAlN 薄膜を作製し，その特性を確認した．さらに圧電薄膜の剥離を試み，グラフェン上圧電薄膜の転写可能性を検討した．