[20a-E204-1~8] 3.13 半導体光デバイス

[20a-E204-5] 横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおける 回折格子形成領域位置の検討

〇谷口 巧樹¹、沼居 貴陽¹ (1.立命館大理工)

キーワード：半導体レーザー、リッジ型導波路

高次モードの発振を抑制する目的で，リッジ型導波路のメサ両脇に横方向位相シフト回折格子を設けた半導体レーザーが提案された．本研究では，横方向回折格子形成領域の位置とレーザー特性との関係を調べた．今回は，回折格子形成領域のうちメサに近い部分に着目した．この結果，従来と比較して，より少ない回折格子の周期数でキンクフリー動作が得られた．