[20a-E301-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-E301-4] 異なる堆積法を用いて作製したSiO₂/n-GaN界面のDLTS測定による評価

〇(M2)田村 和也¹、徳田 豊¹、大川 峰司²、富田 英幹² (1.愛知工大、2.トヨタ自動車)

キーワード：GaN、DLTS

異なる堆積法を用いて作製したSiO₂/n-GaN界面準位密度の評価をDLTS測定によって行った。p-CVD堆積SiO₂/n-GaN界面準位密度は3.1~6.3×10¹¹ eV^-1cm^-2、ALD堆積SiO₂/n-GaN界面準位密度は0.5~2.2×10¹¹ eV^-1cm^-2であった。また、特に浅い準位でp-CVD堆積SiO₂試料の界面準位密度が大きな値を示したため、プラズマによる損傷が考えられる。