[20a-E301-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[20a-E301-7] Influence of GaN/HfSiO_x interface on electrical properties for GaN/HfSiO_x/Pt capacitors

〇Erika Maeda^1,2, Toshihide Nabatame², Masafumi Hirose^1,2, Mari Inoue², Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Koji Shiozaki³, Hajime Kiyono¹ (1.SIT, 2.NIMS, 3.NU)

Keywords:GaNpowerdevice, GaN/HfSiOx stack structure, Plasma-Enhanced ALD

前回、我々はHfリッチなHfSiO_xに着目し、原子層堆積法(ALD)で成膜したHfSiO_x膜は不活性ガスの800°C熱処理で、アモルファス構造、高誘電率(k>15)、小さなV_fbヒステリシス(V_{fb hys}=+50 mV)及び高耐圧(E_bd= 8.7 MV/cm)特性を示すことを報告した。しかし、約+50 mVの小さなV_fbシフトが認められ、これがHfSiO_x膜或はn-GaN/HfSiO_x界面のどちらの電気的な欠陥に起因するのかよく分かっていなかった。
そこで、本研究では、電気特性の膜厚依存性を調べ、得られた結果を基に電気的な欠陥について議論した。