[20a-E302-1~13] 13.8 光物性・発光デバイス

[20a-E302-11] フェムト秒レーザー励起したBi₂Te₃/Teストライプ構造から放射されるテラヘルツ波偏光特性

〇村上 史和¹、芹田 和則¹、村上 博成¹、Dalipi Rea¹、Urbas A.²、Materna A.³、Buza M.³、Pawlak D.³、斗内 政吉¹、川山 巌¹ (1.阪大レーザー研、2.AFRL, USA、3.ITME, Poland)

キーワード：テラヘルツ波、半導体