[20a-E302-1~13] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[20a-E302-4] GaN-based VCSELs with buried SiO2 waveguide and n-type AIInN/GaN DBR

〇(M2)Ryosuke Iida¹, Muranaga Wataru¹, Ueshima Yusuke¹, Iwayama Sho¹, Takeuchi Tetsuya¹, Kamiyama Satoshi¹, Iwaya Motoaki¹, Akasaki Isamu^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:semiconductor, VCSEL, GaN

既に実用化されている赤外領域のVCSELでは一般的になっている選択酸化法により横方向の光閉じ込めを実現している。さらには導電性DBRによる縦型注入構造である。この構造はGaAs系のVCSELでは一般的である。近年、GaN系VCSELにおいても横方向光閉じ込め構造によって大幅な特性改善が報告されている。今回、我々は埋め込みSiO2による光閉じ込め構造と導電性DBRを有するGaN系VCSELを作製し、評価した。