[20a-E302-1~13] 13.8 光物性・発光デバイス

[20a-E302-5] 面発光レーザの応用へ向けたArプラズマ照射による窒化物半導体トンネル接合電流狭窄構造

〇小田原 麻人¹、不破 綾太¹、清原 一樹¹、岩山 章¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、赤崎 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大・赤崎記念研究センター)

キーワード：半導体