[20a-E307-1~6] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

[20a-E307-2] Improvement of Sensitivity of Chemically Amplified Resists upon Adding Diphenyl Sulfone Derivatives

〇(M2)Shunpei Kawai¹, Kazumasa Okamoto², Masato Ohnuma¹, Takahiro Kozawa² (1.Hokkaido Univ., 2.Osaka Univ.)

Keywords:resist

化学増幅型レジスト(CAR)はEUVレジストとして有望であるが、依然として3 つの性能指数(感度、解像度、ラフネス)の要求を同時に満たすCARの開発が課題となっている。我々は以前Di-p-tolyl sulfone [DTS] (Fig. 1(a))の添加によりCARの酸収量が増加しEB露光に対するレジスト性能が向上することを報告した¹⁾。そこで本研究では新たなジフェニルスルホン誘導体添加によるCARの電子線リソグラフィ(EBL)およびEUVLへの影響を調べた。