[20a-E311-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20a-E311-10] The Effects of Coulomb Scattering Centers at SiO₂/SiC interfaces on Electron Mobility in Inversion Layers

〇Tetsuo Hatakeyama^1,2, Mitsuru Sometani², Hirohisa Hirai², Shinsuke Harada² (1.Toyama Pref. Univ., 2.AIST)

Keywords:Mobility, MOS Interface, Coulomb Scattering

反転層の界面量子化による多バンドの電子構造を反映したクーロン散乱体の新しい遮蔽理論に基づく移動度計算を行った。界面に荷電eをもつクーロン散乱体を密度2E13 cm^-2で配置し移動度を計算した。この系では界面にクーロン散乱体があるため移動度の基板濃度依存性が大きい。特に基板濃度が1E15cm^-2以下では電子が基板の奥方向に広がるため、クーロン散乱体との距離が広がり、移動度は大きく改善する。