[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-E311-11] 不均一な界面欠陥分布がSiC MOSFETのチャネル移動度に及ぼす影響 ― 局所DLTS測定とデバイスシミュレーションに基づく検討 ―

〇山末 耕平¹、山岸 裕史¹、長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：局所DLTS、走査型非線形誘電率顕微鏡、SiC

近年，局所DLTS法と呼ばれる新規なプローブ顕微鏡技術を用いて絶縁膜-半導体基板界面における界面準位密度（D_it）のナノスケール評価が可能になり，その結果，SiO₂/SiC界面においてD_itが面内不均一な分布を有することが明らかにされた．本報告では，D_it分布の面内不均一がSiC MOSFETのチャネル移動度に及ぼす影響について，実測されたD_it分布を考慮したデバイスシミュレーションに基づいて考察する．界面の窒化処理後も残存するD_itの面内不均一に起因して，チャネル移動度が有意に低下することを明らかにする．