[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20a-E311-2] SiO₂/Al₂O₃ 絶縁膜を有する3C-SiC n-MOS キャパシタの固定電荷と界面ダイポール解析

〇岡 龍誠¹、山本 圭介¹、王 冬¹、中島 寛²、菱木 繁臣³、川村 啓介³ (1.九大総理工、2.九大GIC、3.エア・ウォーター)

キーワード：半導体