[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20a-E311-4] 局所DLTS法を用いたマクロステップを有するSiCにおける界面準位密度分布の測定

〇保坂 杏奈¹、山末 耕平¹、Judith Woerle^2,3、Corrado Bongiorno⁴、Gabriel Ferro⁵、Ulrike Grossner²、Massimo Camarda^2,3、長 康雄¹ (1.東北大通研、2.ETH Zurich、3.Paul Scherrer Institute、4.CNR-IMM、5.リヨン大)

キーワード：走査型非線形誘電率顕微鏡、局所DLTS、SiC

SiCはパワーデバイス用の優れた特性を持つ新規半導体材料として注目を集めており，SiC-MOSFETのチャネル移動度向上に向けて，SiO₂/SiC界面における界面準位密度（D_it）の低減は重要な課題である．そこで本研究では,異なる面方位をもつテラスとマクロステップを有するSiO₂/SiCのD_it分布を走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を応用した局所DLTS法を用いて観察した.その結果,マクロステップにおけるD_itはテラスの2倍程度の値を持つことが分かった.