[20a-E312-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [20a-E312-1] 六角形トレンチ構造を有する(111)縦型2DHGダイヤモンドMOSFET

〇(B)新倉 直弥¹、西村 隼¹、岩瀧 雅幸¹、大井 信敬¹、森下 葵¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、縦型

本研究では縦型ダイヤモンドデバイスの低オン抵抗化のため(111)面を用いた六角形トレンチを有する縦型2DHGダイヤモンドMOSFETを作製した。その結果従来の縦型デバイスと比べ約三倍となる高いドレイン電流密度 -680 mA/mmを確認した。また一辺が12µmのトレンチを持つデバイスにて(111)ダイヤモンドを用いたデバイスにて最小のオン抵抗9.2 mΩcm² が得られ、高出力・低損失縦型ダイヤモンドFETの応用化が期待される。