[20a-E312-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [20a-E312-3] 200 nmの絶縁膜Al₂O₃を有する2DHGダイヤモンドMOSFETsの
高周波出力特性@V_DS = −70 V

〇(B)鈴木 優紀子¹、久樂 顕¹、今西 祥一朗¹、堀川 清貴¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、高周波

FETの高周波出力電力は高電圧印加によって電圧スイング幅が広がることで向上する。我々は高耐圧構造の2DHGダイヤモンドMOSFETsを作製し、V_DS =−50 Vにおいてp-FETで最高となる出力電力P_out=3.8 W/mmを達成した。本研究では更なる高耐圧化のためにL_GDを大きくし、絶縁膜を厚くすることで、ダイヤモンドFETsで初となるV_DS= −70 Vにおける大信号特性評価を行った。