[20a-PA4-1~14] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[20a-PA4-14] Thermionic Emission Characteristics of Cesiated Al_xGa_1-xN Emitter

〇Shota Uchida¹, Shigeya Kimura², Hisashi Yoshida², Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Toshiba Corp.)

Keywords:AlxGa1-xN, thermionic emission, cesium

Al_xGa_1-xNのバンドギャップは、組成比xによりGaNの3.4 eVからAlNの6.2 eVの広い領域をカバーでき、加熱時の化学安定性も高い。また、エミッタ表面をセシウム(Cs)で被覆することで熱電子放出におけるポテンシャル障壁を軽減できるため、光と熱に関係するデバイスに応用できると考えられる。本研究では組成比x の異なるAl_xGa_1-xN表面をCs被覆した時の熱電子放出特性の差異を評価した。