[20a-PB4-1~10] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[20a-PB4-2] Siワイヤのゼーベック係数とフォノン輸送特性

〇(M1C)野北 崇人¹、鈴木 悠平¹、荒巻 豪士¹、ファウジアー ホティマトゥル¹、鎌倉 良成²、渡邉 孝信³、池田 浩也¹ (1.静大、2.阪工大、3.早大)

キーワード：Siワイヤ、ゼーベック係数、フォノンドラッグ効果

微小断面積のSiワイヤにおいて, フォノンドラッグ効果に起因するバルクSiより低いゼーベック係数が報告されている. フォノンドラッグ効果に対するワイヤサイズ依存性を明らかにするため, 断面積の異なるSiワイヤのゼーベック係数を測定し, フォノン輸送の観点から解析を行った. 断面積0.3 μm²以下でフォノンの境界散乱が支配的になり, その結果として, ゼーベック係数のフォノンドラッグ成分の低下をもたらすことがわかった.