[20p-B12-1~11] 13.9 Compound solar cells

[20p-B12-3] Growth of GaAs films by HVPE at an extremely high growth rate

〇Ryuji Oshima¹, Yasushi Shoji¹, Kikuo Makita¹, Akinori Ubukata², Takeyoshi Sugaya¹ (1.AIST, 2.TNSC)

Keywords:III-V compound semiconductors, Solar cells, Hydride vapor phase epitaxy

我々は、製造コストの低減を目指してHVPE法を用いたIII-V族太陽電池の開発を行っている。今回、スループット性能の向上を目指してGaAsの超高速成長を検討した。V族原料のAsH₃の熱分解が成長速度に大きく影響を与えることを見出し、AsH₃の熱分解を抑制し直接基板に供給を行うことにより120 um/hまでの超高速化を実現した。さらに、120 um/hの高速成長で作製したGaAsセルにおいて20.3%の変換効率が得られた。