[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-B31-10] Strong impact of initial surface state on crystal quality of Gd₂O₃ growth on Si Substrates

〇Tomohiro Inaba¹, Xuejun Xu¹, Takehiko Tawara^1,2, HIroo Omi^1,2, Hideki Yamamoto¹, Hideki Gotoh¹ (1.NTT BRL, 2.NTT NPC)

Keywords:rare earth oxide, MBE, Si

既存の成長方法では、Si基板上の希土類酸化物の成長開始直後にアモルファス層が形成され、希土類酸化物の結晶性劣化の原因となっていた。そこで、希土類金属(本報告ではガドリニウム:Gd)を室温でSi基板の保護酸化膜(SiOx)上に堆積し、適切な熱処理を行うことで、成長開始時に単結晶希土類酸化膜で終端されたSi基板を実現し、その上に成長した希土類酸化物の結晶性の向上を確認した。