[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-B31-11] Homoepitaxial Growth of MgO Thin Films and Their Optical Properties

〇Shoma Hoshi¹, Kanta Kudo², Takeyoshi Onuma², Tohru Honda², Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujita¹ (1.Kyoto Univ., 2.Kogakuin Univ.)

Keywords:DUV light emission, MgZnO, oxide semiconductor

現在深紫外光源として主流のガス光源には、有害物質の使用や筐体の大きさ、低寿命で大きな消費電力を必要とする等の問題がある。これらを解決する無害で小型の固体光源としてMgZnOに注目している。これまでMg基板上にMg組成95%のMgZnO薄膜を作製し、波長199nmでの真空紫外発光を報告してきたが、MgO薄膜自体の発光特性や構造評価は、発光メカニズムの解明に重要である。そこでMgO薄膜のホモエピタキシャル成長とその評価を行ったので報告する。