[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-B31-13] Growth of N-doped Ga₂O₃ films and characterization of their band structures

〇Takumi Saito¹, Motohisa Kado², Akira Ohtomo^1,3 (1.Tokyo Tech., 2.Toyota Motor Corp., 3.MCES)

Keywords:gallium oxide, PLD, Nitrogen-doped

酸化ガリウムは次世代のパワーデバイス材料として注目を集めている．我々は前回，p型化を目的としたNアクセプタードープを試み，NOガスを用いたパルスレーザ堆積法により高濃度かつ高結晶性のNドープ酸化ガリウム薄膜を報告した．本研究では，供給ガスとしてNOガスに加えて，N₂とO₂の混合ガスについて検討し，成長した薄膜の窒素濃度およびバンドギャップから各成長雰囲気におけるNドープの効果を考察した．