[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-B31-14] Removal of Si impurities on β-Ga₂O₃ (010) surface by hot nitric acid

〇Kaisei Kamei¹, Takumi Saito¹, Motohisa Kado², Akira Ohtomo^1,3 (1.Tokyo Tech., 2.Toyota Motor Corp., 3.MCES)

Keywords:gallium oxide, etching, nitric acid

β-Ga₂O₃は大きなバンドギャップを有する半導体材料であるが、その表面にSi不純物が存在することが知られており、デバイス応用に向けた電気特性評価が困難となっている。本研究では、Si不純物を除去する手段として、硝酸とその反応性を高めるための耐圧容器を用いた高温高圧下におけるエッチングを検討した。不純物濃度を解析した結果、硝酸エッチングによるSi不純物除去の有効性が明らかとなった。