[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-B31-15] Structural and property modification of β-Ga₂O₃ (−201) thin films synthesized by UV laser irradiation at room-temperature

〇(M2)Hiroyuki Morita¹, Takumi Matsushima¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:Gallium Oxide, Excimer laser annealing, Room temperature

β型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）は約4.9 eVのバンドギャップを持つワイドギャップ半導体であり、紫外域のオプトエレクトロニクスや高耐圧パワーデバイスなどへの応用が期待される。我々はエキシマレーザーアニーリング（ELA）や緩衝層を用いた室温プロセスでのエピタキシャルβ-Ga₂O₃薄膜の合成について報告してきた。ELAでは紫外レーザーを用いた非平衡なエネルギー導入と短パルス幅による極短時間の結晶化が可能であり、ドーパント蒸発や分相析出を抑制し特異的なドーピングも期待できる。本研究ではELA合成におけるβ-Ga₂O₃薄膜の構造・物性制御を目的として、界面に注目した構造解析やドーパントが結晶性・配向性や導電性に与える影響について検討した。