[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-B31-16] Bismuth-assisted effect for the growth of Ga₂O₃ thin films via mist chemical vapor deposition

〇Daisuke Tahara¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Yuta Arata¹, Sho Hasegawa¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:Gallium oxide, Wide band gap semiconductor, mist CVD

近年、超ワイドバンドギャップを有する酸化ガリウム(Ga₂O₃)が注目されており、結晶多形であるGa₂O₃の中で、唯一の極性結晶である準安定相ε-Ga₂O₃は自発分極を利用したデバイスへの応用が期待されている。本研究では、ミストCVD法によるε-Ga₂O₃の結晶成長において、原料溶液へのビスマス(Bi)前駆体原料添加により表面平坦化や結晶品質の向上が見られましたので、それについて報告する。