[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-B31-17] Epitaxial Growth of α, ε-Ga₂O₃ Thin Films on LiNbO₃ and LiTaO₃ Substrates.

〇(M1)Kazuki Shimazoe¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Daisuke Tahara¹, Yuta Arata¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:Gallium Oxide, Wide Band Gap Semiconductor, Mist CVD

超ワイドギャップ半導体である、α-Ga₂O₃の成長報告はα-Al₂O₃基板上が大部分を占め、その他の基板についてはほとんど検討されていない。そこで三方晶構造を持つ、LiNbO₃、LiTaO₃基板に着目した。ミストCVD法を用いて、α-Ga₂O₃と同じ結晶構造を持つ、α-Fe₂O₃バッファー層を挿入した場合、α-Ga₂O₃が成長し、バッファー層なしではε-Ga₂O₃が成長したので報告を行う。