[20p-B31-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-B31-14] 熱硝酸によるβ-Ga₂O₃ (010)表面のSi不純物除去

〇亀井 海聖¹、斉藤 拓海¹、加渡 幹尚²、大友 明^1,3 (1.東工大物質理工学院、2.トヨタ自動車、3.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム、エッチング、硝酸

β-Ga₂O₃は大きなバンドギャップを有する半導体材料であるが、その表面にSi不純物が存在することが知られており、デバイス応用に向けた電気特性評価が困難となっている。本研究では、Si不純物を除去する手段として、硝酸とその反応性を高めるための耐圧容器を用いた高温高圧下におけるエッチングを検討した。不純物濃度を解析した結果、硝酸エッチングによるSi不純物除去の有効性が明らかとなった。