6:00 PM - 6:15 PM
△ [20p-B31-16] Bismuth-assisted effect for the growth of Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition
Keywords:Gallium oxide, Wide band gap semiconductor, mist CVD
近年、超ワイドバンドギャップを有する酸化ガリウム(Ga2O3)が注目されており、結晶多形であるGa2O3の中で、唯一の極性結晶である準安定相ε-Ga2O3は自発分極を利用したデバイスへの応用が期待されている。本研究では、ミストCVD法によるε-Ga2O3の結晶成長において、原料溶液へのビスマス(Bi)前駆体原料添加により表面平坦化や結晶品質の向上が見られましたので、それについて報告する。