The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Sep 20, 2019 1:45 PM - 6:30 PM B31 (B31)

Takayoshi Oshima(FLOSFIA), Kohei Fujiwara(Tohoku Univ.), Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.)

6:15 PM - 6:30 PM

[20p-B31-17] Epitaxial Growth of α, ε-Ga2O3 Thin Films on LiNbO3 and LiTaO3 Substrates.

〇(M1)Kazuki Shimazoe1, Hiroyuki Nishinaka1, Daisuke Tahara1, Yuta Arata1, Masahiro Yoshimoto1 (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:Gallium Oxide, Wide Band Gap Semiconductor, Mist CVD

超ワイドギャップ半導体である、α-Ga2O3の成長報告はα-Al2O3基板上が大部分を占め、その他の基板についてはほとんど検討されていない。そこで三方晶構造を持つ、LiNbO3、LiTaO3基板に着目した。ミストCVD法を用いて、α-Ga2O3と同じ結晶構造を持つ、α-Fe2O3バッファー層を挿入した場合、α-Ga2O3が成長し、バッファー層なしではε-Ga2O3が成長したので報告を行う。