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△ [20p-B31-17] Epitaxial Growth of α, ε-Ga2O3 Thin Films on LiNbO3 and LiTaO3 Substrates.
Keywords:Gallium Oxide, Wide Band Gap Semiconductor, Mist CVD
超ワイドギャップ半導体である、α-Ga2O3の成長報告はα-Al2O3基板上が大部分を占め、その他の基板についてはほとんど検討されていない。そこで三方晶構造を持つ、LiNbO3、LiTaO3基板に着目した。ミストCVD法を用いて、α-Ga2O3と同じ結晶構造を持つ、α-Fe2O3バッファー層を挿入した場合、α-Ga2O3が成長し、バッファー層なしではε-Ga2O3が成長したので報告を行う。