[20p-B31-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-B31-16] ミストCVD法によるGa₂O₃薄膜成長におけるビスマス添加の効果

〇田原 大祐¹、西中 浩之¹、新田 悠汰¹、長谷川 将¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ワイドバンドギャップ半導体、ミストCVD

近年、超ワイドバンドギャップを有する酸化ガリウム(Ga₂O₃)が注目されており、結晶多形であるGa₂O₃の中で、唯一の極性結晶である準安定相ε-Ga₂O₃は自発分極を利用したデバイスへの応用が期待されている。本研究では、ミストCVD法によるε-Ga₂O₃の結晶成長において、原料溶液へのビスマス(Bi)前駆体原料添加により表面平坦化や結晶品質の向上が見られましたので、それについて報告する。