[20p-B31-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-B31-17] LiNbO₃,LiTaO₃基板上のα, ε-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

〇(M1)島添 和樹¹、西中 浩之¹、田原 大祐¹、新田 悠汰¹、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ワイドバンドギャップ半導体、ミストCVD

超ワイドギャップ半導体である、α-Ga₂O₃の成長報告はα-Al₂O₃基板上が大部分を占め、その他の基板についてはほとんど検討されていない。そこで三方晶構造を持つ、LiNbO₃、LiTaO₃基板に着目した。ミストCVD法を用いて、α-Ga₂O₃と同じ結晶構造を持つ、α-Fe₂O₃バッファー層を挿入した場合、α-Ga₂O₃が成長し、バッファー層なしではε-Ga₂O₃が成長したので報告を行う。