[20p-B31-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-B31-8] エキシマ光プロセスを用いた超平坦ポリマー基板上でのZnO薄膜の低温合成と高結晶配向化

〇(M2)大賀 友瑛¹、大島 淳史¹、金子 奈帆¹、金子 智^2,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化亜鉛、エキシマ光、超平坦ポリマー

ZnOなどのワイドギャップ酸化物半導体を用いたデバイス形成には、結晶配向成長が重要であり、一般に単結晶基板が用いられるが、ポリマー基板上に作製することでフレキシブルデバイスなどへの応用に貢献する。ポリマー表面のモフォロジーや化学特性変化を用いた低温での薄膜結晶成長は、ポリマー上のデバイス形成に必要であり、ポリマー基板上における超平坦表面が酸化物薄膜成長と構造に及ぼす影響について検討した。