[20p-C310-1~16] 6.4 薄膜新材料

△ [20p-C310-3] 不純物ドープされた層状La-Ni-O系薄膜のPLD作製と導電特性

〇堀松 芳樹¹、生田 貴大¹、土嶺 信男²、岩谷 幸作²、金子 智³、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技総研)

キーワード：層状ペロブスカイト、La-Ni-O系薄膜、不純物ドープ

層状ペロブスカイト型遷移金属酸化物である酸化ニッケルランタンは、混合イオン電子伝導性特性のために、幅広い応用に関心が高まっている。そのなかでLa₄Ni₃O₁₀は酸素欠損導入によりMITを示す報告があり、酸素欠損型La₄Ni₃O_10-δの燃料電池やセンサー応用も研究がなされてきた。本研究では、不純物ドープLa₄Ni₃O_10-δ薄膜の電子機能制御を目的として、PLD合成、ポストアニーリング、Ni価数制御および価数4+の元素によるLa³⁺置換が、La_n+1Ni_nO3_n+1薄膜の構造と特性に与える影響を検討した。