[20p-C310-1~16] 6.4 薄膜新材料

△ [20p-C310-4] ミスト CVD 法による MoO₂ 薄膜の作製と電気特性の評価

〇(D)股村 雄也¹、池之上 卓己¹、三宅 正男¹、平藤 哲司¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：ミスト CVD 法、二酸化モリブデン

ミスト CVD 法を用いて MoO₂ 単相薄膜が得られる条件を明らかにし、得られた膜の電気特性を評価した。440‐480°C の範囲で、ガラス基板上に配向した単相 MoO₂ が得られることを明らかにした。比抵抗は 2 ×10^-3 Ω cm と溶液プロセスで作製したものよりも低い値を示した。