2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[20p-C310-1~16] 6.4 薄膜新材料

2019年9月20日(金) 13:45 〜 18:00 C310 (C310)

土屋 哲男(産総研)、石橋 隆幸(長岡技科大)

16:00 〜 16:15

[20p-C310-9] rfスパッタリングによるMgF2薄膜の作製と誘電関数解析

小倉 航平1、柏木 誠1、賈 軍軍2、待永 広宣3、重里 有三1 (1.青学大理工、2.早大国際理工C、3.日東電工)

キーワード:MgF₂薄膜、rfスパッタリング、光学薄膜

フッ化マグネシウム(MgF2)薄膜は低屈折率であり、紫外から赤外領域において高い透過性を示すなどの特性を有する。MgF2薄膜はスパッタ法によって作製した場合、フッ素欠損が生じることが問題視されてきた。本研究では、成膜時のフッ素分圧に注目してストイキオメトリックなMgF2薄膜の作製を試みた。これらの膜はXRD, EPMA, XPS, 分光エリプソメトリ等によって構造、組成、結合状態、誘電関数の解析を行った。