2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.5 レーザー装置・材料

[20p-E203-7~19] 3.5 レーザー装置・材料

2019年9月20日(金) 15:30 〜 19:00 E203 (E203)

古瀬 裕章(北見工大)、安原 亮(核融合研)

17:00 〜 17:15

[20p-E203-13] グラフェン可飽和吸収体を用いた2.9 µm帯受動QスイッチEr:YAP レーザー

〇(D)河瀬 広樹1、上原 日和1,2、安原 亮1,2 (1.総研大、2.核融合研)

キーワード:中赤外レーザー

グラフェン可飽和吸収体を用いた受動Qスイッチ2.9 µm帯Er:YAPレーザー発振を試みた。実験より、スロープ効率13%、最大平均出力503 mWが得られた。この時、時間波形より安定したパルス発振を確認し、最大繰り返し周波数114 kHzと最短パルス幅460 nsを確認した。また、励起パワーを変えた際、最大パルスエネルギー5.1 µJ、最大ピークパワー10 Wが得られた。以上より、世界初のグラフェン可飽和吸収体を用いた受動QスイッチEr:YAPパルス発振を実証した。