[20p-E204-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[20p-E204-2] Design and Fabrication of GaAs-based Bi-section Laser Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy

〇Yusuke Ishikawa¹, Ryota Arakawa¹, Daisuke Kambayashi¹, Shigeya Naritsuka¹, Daichi Imai¹, Takao Miyajima¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:Semiconductor laser, GaAs, Bi-section

生体を観察可能なバイオイメージングを臨床現場で利用するには、小型・低消費電力の超短パルス半導体レーザが必要とされる。その試みは報告されているが、更なる高出力化が必要である。我々はGaN系超短パルスレーザを作製し、そのピークパワーとして600W以上を実現した。ここで得られた技術を利用したバイオイメージング用GaAs系超短パルスレーザ実現のため、GaAs系バイセクションレーザの設計と試作を行った。