2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[20p-E204-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2019年9月20日(金) 13:45 〜 17:00 E204 (E204)

沼居 貴陽(立命館大)

15:15 〜 15:30

[20p-E204-6] カットオフ波長制御構造を用いたVCSEL と光偏光器の横方向集積

鷹箸 雅司1、志村 京亮1、顧 暁冬1、中濱 正統1、松谷 晃宏2、坂口 孝浩1、小山 二三夫1 (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

キーワード:面発光レーザ

レーザ加工やLiDARなどの光センサのために高出力かつ高ビーム品質のレーザが求められている.本研究室ではスローライト光増幅器での260mWの出力を達成しているが外部光源を種光源としている.VCSELを種光源とした横方向の集積が可能であるが低い光結合効率が課題となっている.本報告ではカットオフ波長差による光閉じ込め効果を用いた高効率横方向結合の提案および製作を行い,ビーム掃引特性の検討を行ったので報告する.