[20p-E302-1~17] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

△ [20p-E302-17] Study on the fabrication process of Er,O co-doped GaAs microdisks towards enhancement of the Q factor

〇Ryoma Higashi¹, Masayuki Ogawa¹, Jun Tatebayashi¹, Shuhei Ichikawa¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:semiconductor, rare earth, microdisk

GaAs:Er,OはGaAs薄膜中にEr及びO原子を共添加することで得られ、光通信用波長帯1.5 µm付近に温度安定性の極めて高く且つ鋭い輝線スペクトルを示す。これまで、レーザ発振の実現に向けた光共振器構造としてEr,O共添加GaAsマイクロディスク構造を作製し、光学特性を評価した結果、Erからの発光増強（共振器Q値4200）を観測することに成功した。本発表では更なる共振器Q値向上に向けて作製プロセスの改善を検討したのでこれを報告する。