[20p-E303-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-E303-1] スパッタリング法によるC-doped BaSi₂の作製と特性評価

〇根本 泰良¹、佐藤 拓磨¹、召田 雅実²、倉持 豪人²、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大、2.東ソー株式会社)

キーワード：半導体