2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-E303-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年9月20日(金) 13:45 〜 17:45 E303 (E303)

鵜殿 治彦(茨城大)、寺井 慶和(九工大)、原 康祐(山梨大)

15:15 〜 15:30

[20p-E303-6] PL法によるp-BaSi2/n-Siヘテロ接合太陽電池のB-doped p-BaSi2層欠陥評価

〇杉山 稜汰1、山下 雄大1、Deng Tianguo1、Xu Zhihan1、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大)

キーワード：半導体