[20p-E304-1~13] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[20p-E304-13] 中性子線を用いたAg/GeS₂二層膜中の光ドーピング現象の解明

〇村上 佳久¹、渋谷 猛久²、若木 守明²、坂口 佳史³ (1.筑波技術大、2.東海大、3.総合科学研究機構)

キーワード：フォトドーピング、中性子線

Ag/GeS₂二層膜のフォトドーピング現象の解明のため、光照射を行いながら、中性子を照射し、その反射率を測定することによって薄膜表面の状態変化を調べた。
エリプソメトリーや透過率測定で行ってきた結果とは異なる反応メカニズムが示唆された。