[20p-E304-1~13] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[20p-E304-7] テクスチャガラス基板上に作製した電子線蒸着非晶質Si膜のFLAにおける結晶化機構

〇家後 和美¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：フラッシュランプアニール、シリコン、結晶化

平坦基板上に作製したEB蒸着a-Si膜のFLAによる結晶化は爆発的結晶化(EC)によることが確認されている。本研究では、テクスチャ基板上に堆積したEB蒸着a-Si膜のFLAによる結晶化機構について実験的に調査した。周波数可変のサブパルス光からなるFL光を照射したところ、サブパルス光照射に由来する一定の周期の縞模様が観察されたことから、平坦基板同様にテクスチャ基板上においてもECによる結晶化機構であることが確認された。