[20p-E310-1~21] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-E310-10] Growth surface variation due to impurity-doping for vicinal (0001) GaN

〇Shuhei Ichikawa¹, Jun Tatebayashi¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GaN, impurity, bunched step

窒化物半導体の結晶成長時において、従来成長面の(0001)から僅かに傾斜した微傾斜基板上に成長を行うことで、転位低減効果が得られる事が報告されている。一方で、微傾斜成長表面にステップバンチング機構により形成されるマクロステップ構造は、混晶作製時や不純物ドーピング時に組成変調を引き起こすことから、デバイス利用にむけて障害となる側面がある。本報告ではMg添加とEu添加がGaN表面マクロステップ解消に与える影響の差異を明らかにするとともに、マクロステップ解消後のpn制御時の表面制御について報告する。