[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-10] 微傾斜表面を有するGaN系半導体における不純物添加と表面構造変化

〇市川 修平¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、不純物、ステップバンチング

窒化物半導体の結晶成長時において、従来成長面の(0001)から僅かに傾斜した微傾斜基板上に成長を行うことで、転位低減効果が得られる事が報告されている。一方で、微傾斜成長表面にステップバンチング機構により形成されるマクロステップ構造は、混晶作製時や不純物ドーピング時に組成変調を引き起こすことから、デバイス利用にむけて障害となる側面がある。本報告ではMg添加とEu添加がGaN表面マクロステップ解消に与える影響の差異を明らかにするとともに、マクロステップ解消後のpn制御時の表面制御について報告する。