[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-19] 格子緩和したGaInNテンプレート上へのAlInNエピタキシャル成長

〇(M2)山中 瑞樹¹、三好 実人¹、江川 孝志¹、岡田 成仁²、只友 一行²、竹内 哲也³ (1.名工大、2.山口大、3.名城大)

キーワード：AlInN

名工大・名城大ではGaN系可視光LDの高効率化に向けて、GaN、InGaNとの大きな比屈折率差が見込めるAlInN厚膜クラッド層の開発に取り組んできた。これまでの研究成果として、GaN/c面サファイア上及びFS-GaN上に厚膜で表面平坦なAlInN膜を成長させたことを報告してきた。他方山口大学では、GaN系LDの下地基板への適用を目指し、格子緩和したGaInNテンプレートを開発している。今回我々は、このテンプレート上に膜厚300nmのAlInN膜をMOCVD成長し、その混晶組成、格子歪みと表面状態との関係を調査したので報告する。