[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-21] ３次元アトムプローブによるAlInNバリア層の組成均一性評価

〇名古 肇¹、田島 純平¹、彦坂 年輝¹、布上 真也¹ (1.東芝研究開発センター)

キーワード：AlInN、MOCVD、3DAP

AlInN/AlNスペーサ/GaN構造の界面状態に着目し、３次元アトムプローブを用いた微小領域での組成面内分布の解析を行った。界面近傍における組成分布を可視化し、AlNスペーサ形成における界面の制御性への影響を調査した。AlNスペーサの有無におけるAlInN層内のIn組成濃度分布を比較すると、濃度揺らぎが異なることが確認された。AlNスペーサ形成がAlInN層での組成制御性に影響を与えていることが分かった。