[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-8] CVD成長BN薄膜におけるB原料依存性

〇山田 永¹、井爪 将^1,2、山田 寿一¹、清水 三聡^1,2 (1.産総研GaN-OIL、2.名大)

キーワード：窒化ホウ素、ジボラン、トリメチルボロン

六方晶窒化ホウ素（h-BN）は層状構造を有するワイドバンドギャップ半導体（∼6eV）であり、深紫外線発光素子材料、グラフェン半導体のゲート絶縁膜、GaN系半導体の剥離層等の期待がある。前回我々はCやClを原料に含まないジボラン（B₂H₆）を用いたh-BN薄膜のCVD成長について報告した。今回B₂H₆およびトリメチルボロン（TMB、(CH₃)₃B）を使用して同条件で成膜したh-BN薄膜の特性結果について報告する。