講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月20日(金) 13:15 〜 19:00 E310 (E310)

岡田成仁(山口大)、本田善央(名大)、谷川智之(阪大)

15:30 〜 15:45

△ [20p-E310-9] Eu添加GaNを利用したGaN系半導体表面のピット低減効果

〇森川隆哉¹、市川修平¹、舘林潤¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、ユーロピウム、ピット