[20p-E311-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-E311-11] Phonon-assisted optical absorption induced by Franz-Keldysh effect in
4H-SiC p-n junction diodes under electric field along <11-20> direction

〇Takuya Maeda¹, Xilun Chi¹, Hajime Tanaka¹, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:Wide-bandgap Semiconductors, SiC, GaN, Franz-Keldysh effect

半導体に高電界を印加すると，電子・正孔の波動関数が禁制帯中に浸出し，その状態間でサブバンドギャップ(hv < Eg)の光吸収が生じるようになる．これは，Franz-Keldysh効果として知られている．これまで我々は，4H-SiC(0001) p-n接合ダイオードにおいて，逆バイアス電圧印加によりサブバンドギャップ光吸収による光電流が生じ，その電圧依存性はFK効果によって定量的に説明できると報告してきた．FK効果による光吸収の電界依存性は電界印加方向に対する換算有効質量に強く依存する．本研究では，<11-20>方向に電界印加した4H-SiCにおける光電流の電圧依存性を測定・解析し，FK効果による光吸収を調べた．