[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-11] <11-20>方向に電界印加した4H-SiC p-n接合ダイオードにおける
Franz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収

〇前田 拓也¹、遅 熙倫¹、田中 一¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.名大院工)

キーワード：ワイドギャップ半導体, SiC, GaN、Franz-Keldysh効果

半導体に高電界を印加すると，電子・正孔の波動関数が禁制帯中に浸出し，その状態間でサブバンドギャップ(hv < Eg)の光吸収が生じるようになる．これは，Franz-Keldysh効果として知られている．これまで我々は，4H-SiC(0001) p-n接合ダイオードにおいて，逆バイアス電圧印加によりサブバンドギャップ光吸収による光電流が生じ，その電圧依存性はFK効果によって定量的に説明できると報告してきた．FK効果による光吸収の電界依存性は電界印加方向に対する換算有効質量に強く依存する．本研究では，<11-20>方向に電界印加した4H-SiCにおける光電流の電圧依存性を測定・解析し，FK効果による光吸収を調べた．