[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-14] 4H-SiC 厚膜エピの高注入ライフタイムおよび拡散長推定

〇(M2)長屋 圭祐¹、平山 貴史¹、宮坂 晶²、児島 一聡³、加藤 智久³、奥村 元³、加藤 正史¹ (1.名工大、2.昭和電工、3.産総研)

キーワード：4H-SiC、キャリア寿命

SiCデバイスにおいてライフタイムは性能に影響する重要なパラメータである。本研究では、高い空間分解能での評価が可能である自由キャリア吸収(FCA)法を用い、ライフタイム測定を行っている。今回は 4H-SiC 厚膜エピの高注入ライフタイム測定と拡散長の推定を試みた。